Etude de la diffusion du dopant p de la base vers l'emetteur dans les transistors bipolaires a heterojonction GaAs/GaAlAs
Ben-Hamad, N.
Mot(s) Clé(s):
Note: Rapp. de stage: Electron.: Paris 11 (FRA): 1991
Localisation: CNUDST (TUN01)
Code de rangement: U9488
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Record created 2018-10-31, last modified 2018-10-31
