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1. Élaboration, caractérisation optique par réflectance et modélisation des structures monocouches et multicouches de silicium poreux / Sounouhid, Guesmi ; Beji, Lotfi [U23049]
2. Caractérisations morphologique et optique des structures Dy2O3/n-GaAset Dy2O3/n-GaAs poreux/n-GaAs / Ben Othmen, Mariem ; Beji, Lotfi [U23045]
3. Incorporation modes of silicon in GaAs: si grown by metalorganic vapor phase epitaxy / Beji, L. ; Rebey, A. ; Jani, B. [TA 2000448670]
Published in:EPJ. Applied Physics (FRA): vol. 4 (no 3), pp. 269-273
4. Optical monitoring of the growth rate reduction by CCl4 during metalorganic vapour-phrse epitaxy deposition of carbon doped GaAs / Rebey, A. ; Beji, L. ; Jani, B. ; Gibart, P. [TA 2000272307]
Published in:Journal of Crystal Growth (NLD): vol. 79 (no 9), pp. 877- 879
5. Elaboration, caractérisation optique par réflectance et modélisation des structures monocouches et multicouches de silicium poreux / Sounouhid, Guesmi ; Beji, Lotfi
6. Élaboration et contrôle in-situ de structure poreuse à base de semiconducteur (n+-GaAs) / Bel Haj Amor, Latifa ; Beji, Lotfi [U23033]
7. Etude du GaAs dope au carbone elabore par epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organometallique / Beji, L. [U7651]
8. Modélisation et simulation interactive pour la navigation d'un robot sous-marin de type ROV observer / Khadhraoui Adel ; Béji, L. [U21858]
9. Elaboration des diodes tunnel GaAs par epitaxie en phase vapeur par decomposition d'organometalliques / Beji, L. [U12722]

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